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ROKKO ELECTRONICS Co., Ltd.

Zipp: 663-8105
8-5, Nakajima-cho, Nishinomiya-city, Hyogo, Japan



加盟団体

SIIQ

NEDIA

SiCアライアンス

SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会

パワーデバイス・イネーブリング協会

SSL GlobalSign Site Seal

Ouverture d'une nouvelle usine exclusive pour le traitement de nouvelles plaquettes de matériaux

À partir de 2017/01


~New matériel : SiC, Saphir, LT (Tantalate de lithium), etc.~

● Augmentation de la capacité de traitement pour faire face à la production de masse

● Il est possible d'effectuer une série de processus depuis la séparation pour le traitement des tranches jusqu'à la réception et l'expédition des tranches

● Avantage de coût par la réduction du processus

● La production de masse a débuté en mars 2017.


Une nouvelle usine dédiée aux plaquettes composés
Une nouvelle usine dédiée aux plaquettes composés 3eme etage  Nettoyage / Laboratoire
 
3eme etage Nettoyage / Laboratoire
2eme etage  Salle de polissage
 
2eme etage Salle de polissage
1er etage  Salle de broyage
 
1er etage Salle de broyage

Avantage de la nouvelle usine

 

PLAQUETTE DE SAPHIR Réalisation de haute qualité de «Planéité», «Rugosité de surface», «Couche affectée par le travail» par l'utilisation d'une meuleuse à haute rigidité
⇒Réduction des coûts de fabrication.
     
PLAQUETTE DE SAPHIR   Réduire la déformation lors de l'éclaircie d'une plaquette après un processus de broyage du dos.
⇒Capable de traitement en un seul passage de meulage + polissage.
     
PLAQUETTE DE SAPHIR   Un niveau de propreté élevé grâce à l'introduction d'un équipement de nettoyage exclusif pour le SiC
(Reduction de la contamination + particle)
     
PLAQUETTE DE SAPHIR   L'introduction d'un processus de prévention des bords des couteaux pour le SiC, déjà utilisé dans le silicium, est attendue.

Procédé d'amincissement des plaquettes de SiC à motifs

 

Exemple de traitement de la plaquette du SiC à motifs
Résultat des variations de l'épaisseur des meules plaquette (SiC 6-pouces plaquette)

:umPLAQUETTE DE SAPHIR
TV5: 1um≧ après broyage

 

Résultat de la comparaison de la rugosité après rectification (SiC 6-pouces plaquette)

 

PLAQUETTE DE SAPHIR Variations d'épaisseur/rugosité de surface améliorées grâce à l'utilisation d'une meuleuse à haute rigidité.

※La rugosité de la surface a été améliorée par le broyeur conventionnel.

事業案内

Traitement des plaquettes de SiC ultra-minces

Exemples de données sur les plaquettes de SiC traitées avec un support des plaquettes.
Résultat des variations de l'épaisseur des meules plaquette (SiC 4-pouces plaquette)
※Obtention de surfaces ultra minces et ultra plates.

Backggrinding
4 inch SiC
TV5 (um)
Range
A
B
C
D
E
22.88
22.4
22.03
22.75
22.31
0.37
TV5
超薄化&超平坦化


Rokko Electronics est l'une des rares entreprises qui fournit un service intégré de traitement des plaquettes de SiC (rectification, polissage et nettoyage RCA des plaquettes) grâce à ses technologies exclusivement développées.

Rokko Electronics a développé une technologie pour utiliser les outils et l'équipement de semi-conducteurs existants pour les plaquettes SiC. Rokko Electronics a un processus excellent en termes de débit, de gaufre, de rugosité et de flexibilité de la taille des plaquettes.





SiC


SiC
● Outil d’analyse par fluorescence de rayons X à réflexion totale TREX610

Outil d’analyse par fluorescence de rayons X à réflexion totale  TREX610 width=
Éléments mesurables : 12 éléments (S, Cl, K, Ca, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn)
● Candela CS20 Machine d'inspection de la surface des plaquettes

Candela CS20 Machine d'inspection de la surface des plaquettes
Taille de plaquette: 3, 4, 5, 6 pouces
Épaisseur: 300 – 1400 μm
 Traitement de nettoyage automatique par frottement

Nouvel équipement:
Après le polissage, les résidus contiennent des substances alcalines qui provoquent des marques de polissage ou des sources de particules. L’élimination de ces résidus avant qu’ils ne soient recouverts par des films d’oxyde natif est l’une des techniques clés du polissage.
Dans notre traitement conventionnel, les plaquettes sont nettoyées pièce par pièce par frottement manuel de l’opérateur. Nous avons introduit un équipement de nettoyage automatisé afin d’éliminer les erreurs humaines et les écarts de qualité et pour obtenir une qualité stable et uniforme.

■Taille de plaquette: 4, 5, 6, 8 pouces
■Épaisseur: jusqu'à 100 μm
■Plaquettes à motifs, MEMS et SOI
Les plaquettes de verre peuvent également être traitées.
● Autolaveuse automatique

Autolaveuse automatique
Nettoyage haute performance.
● Autolaveuse automatique

Autolaveuse automatique
Taille de plaquette: 4, 5, 6, 8 pouces
Les plaquettes de saphir et de SiC peuvent être traitées.
  Processus de plaquettes de SiC
  Processus conventionnel Processus de Rokko Electronics
  Rodage des diamants Polissage, CMP (lot) Meulage Polissage, CMP
Coût de fonctionnement Haut
(Roue en métal + diamant)
Modéré
(Tampon + Matière abrasive)
Modéré
(Les meules de diamant)
Modéré
(Tampon + Matière abrasive)
Niveau requis de technologie des procédés Haut Modéré Haut Haut
Coût de l'équipement Haut Modéré Haut Haut
Capacité de traitement Très faible Faible Modéré Modéré
Remarques "Montage à la cire
Difficile de modifier la plaque de surface de fixation de cire,
un nombre plus élevé de processus est nécessaire."
"Montage à la cire
Difficile de modifier la plaque de surface de fixation de cire,
un nombre plus élevé de processus est nécessaire."
"Système d'aspiration à vide.
Machine automatique à broyer le saphir"
Polissage sans cire
  Processus de broyage des plaquettes de SiC - Rugosité
Rugosité de la surface de rectification des plaquettes de SiC de 150 mm
Équipement de mesure de profil de surface sans contact: Zygo Équipement de mesure de profil de surface sans contact: Zygo

Évaluation Broyage grossier Broyage final
Rugosité Ra 12.4-14.6nm 2-5nm
Warp Visual (Scale) 0.5-0.8mm 0.2-0.4mm
※Rugosité de surface: Équipement de mesure de profil de surface sans contact: Zygo
  SiC plaquette CMP surface AFM mesurant résultat(6 pouce)
6 pouce SiC surface de polissage de la surface AFM mesure résultat (3 points de surface)
AFM
Centre
Ra:0.711Å
Milieu
Ra:0.576Å
Edge
Ra:0.632Å
150mm SiC plaquette Si surface post CMP rugosité de surface Ra < 0.1nm
  Résultat de la mesure des plaquettes de SiC après le nettoyage des plaquettes
Résultat de la mesure des particules de SiC de 150 mm après le nettoyage de la plaquette
PrélavagePrélavage
Nettoyage de gommageNettoyage de gommage
Nettoyage de la RCANettoyage de la RCA
Prélavage   Nettoyage de gommage   Nettoyage de la RCA
1.Le nettoyage par frottement est efficace pour éliminer les particules de grande taille.
2.Les particules et la saleté sont éliminées après le nettoyage RCA.
3.10 pièces ≧0,3um
  Contamination des métaux après le nettoyage des plaquettes de SiC
Contamination des métaux après le nettoyage des plaquettes de SiC de 150 mm
Testeur TXRF
Testeur TXRF
Testeur TXRF
Résultat de la mesure (par TRFX) du processus de nettoyage des plaquettes de saphir

<5X1010atoms/cm2
  Testeur TXRF

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