作为担负着半导体制造之一翼的企业,我们将面对持续的挑战


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六甲电子株式会社

邮编: 663-8105
兵库县西宫市中岛町8-5



加盟団体

SIIQ

NEDIA

SiCアライアンス

SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会

パワーデバイス・イネーブリング協会


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开设专门从事新材料的新工厂

从2017年1月启动

~新材料:SiC、蓝宝石、LT等~


●通过批量生产提高处理能力 .

●与硅工艺完全分离,从承接到发货进行连续性处理。

●通过缩短流程来降低成本

●量产开始:2017年3月.


■ 新工厂的图象
新新工厂的图象

※新工厂(D楼)全景
化化合物晶圆专用的新工厂 ※3F 清洗・检查室
 
※3F 清洗・检查室
化合物晶圆专用的新工厂 ※2F 抛光室
 
※2F 抛光室
化合物晶圆专用的新工厂 ※1F 减薄室
 
※1F 减薄室

新工厂的优势

 

通过高刚性减薄机获得高质量的「平坦度」「表面粗糙度」和「加工变质层」
⇒降低工序流程和成本
     
  降低背面减薄后薄化时的翘曲。
⇒减薄·抛光的一条龙式加工成为可能。
     
  通过导入SiC专用清洗装置实现高清净度
(减少金属污染和颗粒)
     
  在硅晶圆上有量产实绩的刀刃防止加工,将来也可以在SiC薄化晶圆上展开。

关于带图案的SiC晶圆薄化加工

 

带图案的SiC晶圆的加工实绩例
减薄后的晶圆厚度差异的实绩 ※6英寸晶圆加工实绩

单位:um6英寸晶圆加工实绩
※减薄后的TV5≦1um。

 

减薄后粗糙度比较实绩 ※6英寸晶圆加工实绩

 

减薄后粗糙度比较实绩 通过高刚性减薄机的導入,可以改善减薄后的厚度偏差和表面粗糙度。

※与常规减薄机相比,减薄后的粗糙度得到改善。

事業案内

SiC晶圆超薄化加工

GWSS晶圆加工实绩
减薄后的晶圆厚度差异的实绩(4英寸晶圆)
※实现了超薄化和超平坦化。

背面减薄&抛光
4英寸 SiC
TV5 (um)
范围
A
B
C
D
E
22.88
22.4
22.03
22.75
22.31
0.37
超薄化SiC
超薄化SiC
事業案内

我们的优势在于,我们可以通过我们独特的方法对SiC晶圆进行一条龙式减薄→抛光→RCA清洗。

可对应高速·低翘曲·高粗糙度·大直径,并且可对应一条龙式处理加工。


SiC
SiC
●全反射荧光X射线表面分析仪TREX610
TREX610
可以对晶圆表面的不纯物12种元素(S, Cl, K, Ca, Ti, Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn)进行分析。
● Candela CS20晶圆表面检查装置
candela CS20
测量对应英寸:3・4・5・6英寸
测量厚度:300-1400μm
 自动刷洗装置

新装置:
抛光后会微少残留一些碱性成分的抛光液等,在它们形成氧化膜之前,如果不能迅速清洗,将会成为污点和颗粒的根源。
従前是由人工(按批量分批)使用表面活性剂一片一片地对晶圆进行刷洗。由于导入自动清洗装置,消除了人工作业的差异,并且实现了均匀、高精度的颗粒清除。

■加工直径:4・5・6・8英寸
■量产厚度对应:~ 100μm
■SOI晶圆,例如带图案的晶圆·MEMS晶圆等
也对应GWSS晶圆。
● 自动刷洗装置
自动刷洗装置
与手动操作相比,颗粒减少显著。
● 自动刷洗装置
自动刷洗装置
加工对象晶圆:4、5、6、8英寸对应
即使对于硅以外的蓝宝石·SiC也发挥效果。

  SiC晶圆加工

  普通的SiC晶圆的加工 六甲电子的SiC加工
  金刚石研磨 抛光CMP 减薄 抛光CMP
运行成本 高 (金属定盘 或 Pad+金刚石抛光液)) 中 (Pad+抛光液)
中 (金刚石砂轮) 中 (Pad+抛光液)
加工经验


设备成本


加工速度 极低


备注 "蜡固定
定盘修正的难易度高
工序多"
"蜡固定
定盘修正的难易度高
工序多"
真空吸附方式

全自动抛光装置
全自动单片式抛光装置
  SiC晶圆片减薄加工面粗糙度
150mm SiC晶圆片的减薄 表面粗糙度
表面粗糙度 表面粗糙度

评价项目 精加工减薄 超精加工减薄
表面粗糙度 Ra 12.4-14.6nm 2-5nm
翘曲 目视(比例) 0.5-0.8mm 0.2-0.4mm
※表面粗糙度:非接触表面形状测试机 Zygo
  SiC晶圆 抛光面的AFM测试结果(6英寸)
φ6英寸的Si面 抛光面的AMF测试结果(面内3点)
AMF测试结果
中央
Ra:0.711Å
中间
Ra:0.576Å

Ra:0.632Å
150mm SiC晶圆Si面 抛光面的粗糙度 Ra < 0.1nm
  SiC晶圆清洗后的颗粒测试结果
150mm SiC晶圆在清洗后的颗粒测试结果
清洗前清洗前果
刷洗后刷洗后
清洗后清洗后
颗粒测试结果   颗粒测试结果   颗粒测试结果
1.通过刷洗以清除粗颗粒。
2.RCA清洁后颗粒和污垢也被去除。
3.10个≧0.3um
  SiC晶圆的清洗后的金属污染
150mmSiC晶圆 清洗后的金属污染测试
TXRF测试装置
TXRF测试装置
TXRF测试装置
晶圆清洗后的TXRF测试结果

<5X1010atoms/cm2
  TXRF测试装置
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六甲电子株式会社
兵库县西宫市中岛町8-5 TEL : 0798-65-4508
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