La nostra esperienza in questo campo ci consente di venire incontro
alle varie necessità per le applicazioni MEMS mediante tecniche
speciali di molatura e levigatura. Questo servizio può essere richiesto
sia per un singolo wafer prototipo che per la produzione di massa.
Siamo inoltre specializzati in molatura e levigatura SOI, wafer
GWSS, wafer a struttura cava (cavity-structure), wafer attraverso-foro,
wafer a via attraverso silicio (TSV) e in wafer non circolari.
■ Esempi di prodotti MEMS
●Wafer sottili
Dimensione del wafer: φ 200 mm
Spessore: 32 μm
Molatura posteriore: Rifinitura #2000
●GWSS (sistema di supporto dei wafer in vetro)
Dimensione del wafer: φ200 mm
Spessore: 11 μm
Molatura posteriore: Rifinitura #2000
Vetro: Pyrex
●GWSS (sistema di supporto dei wafer in vetro)
Dimensione del wafer: φ200 mm
Spessore: 4,5 μm
Rifinitura lucida
Vetro: Pyrex
Molatura e
Lucidatura
Silicio da 8 inch
TV5 (um)
Gamma
A
B
C
D
E
4.15
4.6
4.37
2.21
3.93
2.39
●Wafer a struttura cava
Dimensione del wafer: φ150 mm
Spessore: 100 μm
Molatura posteriore: Rifinitura #2000
●Wafer a struttura cava
Il wafer raffigurato presenta uno spessore ridotto a 5 um.
■ Attrezzature e Macchinari
■ Molatura
posteriore e lucidatura per TSV
“Punti di attenzione nella lavorazione TSV”
① Abbassamento della superficie nei pressi del foro
→ L’area attorno al foro può abbassarsi a causa dell’azione di sostanze
chimiche a seconda del tempo di lucidatura.
②Danni dai bordi
→ Durante il processo TSV, u causa dell’uso del DREI si possono
creare delle erosioni minimali sui bordi.
③ Intrusioni nel foro
→ Può succedere che rimangano nel foro sottili particelle. Prestiamo attenzione a tutti queste possibilità.
■ Wafer
a cubettatura（dicing） a mezzo taglio
Ilwafer resi sotttilissimi vengono
tagliati a metà circa a metà del loro spessore (lavorazione half-cut)
con una cubettattrice e la molatura posteriore lo frammenta
■ Processo
di prevenzione Knife Edge
“Richieste del cliente”
● Come evitate la rottura o la frammentazione dei wafer dopo la
loro lavorazione? Questi danni sono causati principalmente dall’uomo
o dal trasporto dei macchinari e possono condizionare tutto il processo
lavorativo. Come risolvete tali problematiche?
→
Alla Rokko disponiamo di servizi di smussatura pre molatura che
soddisfano le varie tipologie di esigenze per lo spessore di rifinitura
(per esempio di 100 o 50 um).
Mediante il controllo NC per le smussature, siamo in grado di lavorare
i wafer di vari spessori senza cambiare la mola.
Prima MP (molatura
posteriore)
Smussatura
Dopo MP (molatura
posteriore)
※Senza smussatura
※Con smussatura
※Creazione di una forma knife edge
※Creazione di una smussatura compatibile
con vari spessori di wafer.
Accesso al video dei test di caduta per i wafer di 6 inc
100u senza e con smussatura →
● Macchina per la prevenzione
del knife edge
Dimensione del wafer: 4, 5, 6, 8 inch
● Macchina per la prevenzione
del knife edge
Le forme del bordo possono essere regolate con un sistema
di controllo NC a seconda del suo spessore.
■ Molatura
posteriore
Alla Rokko abbiamo accumulato più di 10 anni di esperienza nel business
dell’assottigliamento dei wafer di vario tipo dai SOI e i GWSS ai
wafer di produzione di massa (spessore 100-150 um).
Cerchiamo di compiere sempre maggiori sforzi per migliorare il rendimento
dei wafer che prendiamo in consegna dal cliente.
Dispositivi MEMS: SOI, GWSS, attraverso-foro, a struttura cava,
a via attraverso silicone (TSV) e non circolari
● Molatura posteriore
Dimensione del wafer: 4, 5, 6, 8 inch
● Molatura posteriore
Miglioriamo costantemente il rendimento grazie ai controlli
giornalieri.
■ Nuove
funzioni: Per i macchinari attualmente in uso lo spessore del wafer
viene misurato con un misuratore. Nelle nuove macchine introdotte
recentemente, invece, è presente un NCG (misuratore senza contatto)
che consente alla macchina di misurare lo spessore del wafer con
un laser senza toccarlo. In questa nuova lavorazione tutti i wafer,
inclusi i MEMS a struttura cava o i wafer a foro possono essere
misurati. ■Dimensione del wafer: 4, 5, 6, 8, (12) inch
■Spessore: 100–150 μm
■Esempi di lavorazione per i wafer MEMS
Siamo inoltre specializzati in molatura e levigatura SOI, wafer
GWSS, wafer a struttura cava (cavity-structure), wafer attraverso-foro,
wafer a via attraverso silicio (TSV) e in wafer non circolari.
■ Lucidatura
posteriore di un singolo wafer
Dopo la molatura si creano sulla superficie delle leggere imperfezioni.
Durante questa fase i wafer vengono lucidati con cautela per rimuovere
queste imperfezioni. Onde evitare un possibile effetto negativo
sulla superficie, viene effettuata una lucidatura prudente e veloce.
■Vantaggi della lucidatura in singolo ：
●Processo senza cera che permette di raggiungere una miglior risultato
riducendo i requisiti per la pulitura.
●Può lucidare i wafer più efficientemente che un macchinario a lotto
e allo stesso tempo necessità spesso di meno spese.
●Consente una lucidatura più accurata e aiuta anche a raggiungere
livelli maggiori di sottigliezza.
● Lucidatura posteriore di un
singolo wafer
Dimensione del wafer: 4, 5, 6, 8 inch
● Lucidatura posteriore di un
singolo wafer
Il macchinario è in grado di lavorare wafer assottigliati
e wafer MEMS.
■ Nuovo
macchinario: Lucidatrice posteriore per 8 inch ■Dimensione del wafer: 4, 5, 6, 8 inch
■Migliori risultati di assottigliamento: 8 inch 85 μm
● Lucidatrice posteriore per
8 inch
Dimensione del wafer: 4, 5, 6, 8 inch
● Lucidatrice posteriore per
8 inch
Migliori risultati di assottigliamento: 8 inch 85 μm
■ Processo
automatico di pulitura scrub
■ Nuovo
macchinario：
Dopo la lucidatura dei residui di sostanze alcaline possono finire
per diventare macchie o fonti di particelle. La rimozione rapida
di tali residui prima che vengano rivestiti da pellicole di ossido
naturale è una delle tecniche chiave della lucidatura.
In origine, i wafer venivano puliti uno alla volta a mano dall’operatore.
Recentemente abbiamo introdotto un sistema di pulitura automatico
che elimina l’errore umano e le ripercussioni nella qualità per
raggiungere degli standard qualitativi uniformi.
■Dimensione del wafer: 4, 5, 6, 8 inch
■Spessore: fino a 100 μm
■Wafer a pattern e SOI
Possono essere lavorati anche i wafer a vetro.
● Scrubber automatico
Alte performance di pulizia.
● Scrubber automatico
Dimensione del wafer: 4, 5, 6, 8 inch
Possono essere lavorati anche i wafer a zaffiro e SiC.
■ Macchina
per la rimozione dei nastri
I nastri protettivi vengono rimossi dai wafer senza toccarne la
superfice.
■Dimensione del wafer: 5, 6 inch
■Tipo di nastro: nastri UV
■Caratteristiche ：
●I wafer vengono trasportati senza essere toccati medianti delle
braccia robotiche fondate sul principio di Bernoulli.
●Dopo che i wafer hanno subito l’irradiazione UV, i nastri protettivi
vengono rimossi automaticamente.
● Macchina per la rimozione dei
nastri
Dimensione del wafer: 5, 6 inch
● Macchina per la rimozione dei
nastri
Le superfici post lucidatura sono molto fragili. Per questo
si possono causare facilmente delle impercettibili graffiature
se queste vengono in contatto con qualsiasi componente metallica
delle macchine. Questo macchinario è in grado di rimuovere
i nastri senza toccare le superfici del wafer.
■ Pulitura
RCA per wafer a pattern
■Servizi disponibili
・Pulitura RCA posteriore per wafer a pattern metallici (rimozione
di particelle e contaminazioni)
・Pulitura RCA per wafer a pellicola (rimozione di particelle e contaminazioni)
・Pulitura RCA posteriore per wafer con supporto o legati (rimozione
di particelle e contaminazioni)
■Specificazioni di base
・Trasporto automatizzato senza contatto di superfici lucidate (da
cassette a cassette)
・Metodo di rotazione chamber doppio simultaneo (pulitura RCA ⇒ risciacquo
DIW ⇒ asciugatura)
・Rimozione delle contaminazioni dei metalli tramite una sola sostanza
chimica
・I wafer da 4, 5, 6 e 8 inch possono essere lavorati con uno spessore
minimo di 150 um. (Stiamo sviluppando la lavorazione anche per spessore
inferiori)
・Trattiamo anche wafer con supporto
■Grado di pulitura (superficie posteriore di wafer a pattern)
Particelle: ≧0.3um，≦50pcs/wf
Metalli pesanti Metalli pesanti: ≦5.0E10atoms/㎝-2
(Ka, Ca, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Al, Na)
Clicca qui per una dimostrazione della pulitura RCA posteriore
di un wafer a pattern →
● Pulitura RCA per wafer a pattern
Dimensione del wafer: 4, 5, 6, 8 inch
● Pulitura RCA per wafer a pattern
Clicca qui per una dimostrazione della pulitura RCA posteriore
di un wafer a pattern.
■ Attrezzature e Macchinari
● Molatrice automatica
In grado di processare la produzione di più di un wafer.
● Lucidatrice singola per pellicole
sottili
Lucida i wafer con estrema precisione e li trasporta senza
venire in contatto con la superficie lucidata.
※Questo macchinario è stato sviluppato da noi, per questo
non possiamo mostrarvi i test di lavorazione e la produzione
su larga scala. Ci scusiamo per il disagio.
● Misuratore TME dello spessore
dei wafer a capacità elettrostatica
Questo macchinario rimuove i wafer dalle piastre e ne misura
lo spessore in base alle coordinate designate.
Le misurazioni vengono effettuate senza toccare il wafer da
un sensore di capacità elettrostatica.
● Misuratore TME dello spessore
dei wafer a capacità elettrostatica
Spessore misurabile: 100-1800um (dipende dalla grandezza del
wafer).
Misurazione del punto centrale (le coordinate possono essere
impostate attraverso la configurazione della macchina).
● Misuratore automatico a spettro
interferenza dello spessore dei wafer
Lo spessore dello strato di silicio può essere misurato solo
per i wafer, i SOI, i wafer con supporto, i wafer in resina/
a nastro. (può essere misurato anche un solo lato della superficie
di silicio nel caso 2 wafer fossero attaccati).
● Misuratore automatico a spettro
interferenza dello spessore dei wafer
Lo spessore può essere misurato solo per gli strati attivi
o supportati a silicone, ma non per lo spessore generale del
wafer o dei MEMS/ dispositivi a sensore che hanno subito l’assottigliamento
dello spessore.
Prestiamo attenzione a tutti queste possibilità.
