“Aspettative del cliente”
● Come evitate la rottura o la frammentazione
dei wafer dopo la loro lavorazione? Questi danni sono causati
principalmente dall’uomo o dal trasporto dei macchinari e possono
condizionare tutto il processo lavorativo. Come risolvete tali
problematiche?
“Richieste del cliente”
●Come rimuovete lo sporco che emerge dopo
l’assottigliamento e la lucidatura dei wafer a pellicola o a pattern?
● Ci sono dei wafer che non potete immettere nella vostra lavorazione
a causa dei limiti del grado di pulitura della superficie dato
dai vostri macchinari?
※Nel processo di pulitura convenzionale delle superfici posteriori
lucidate, si usano tecniche basate su wafer organici o DI. Per
poter rimuovere le contaminazioni dei metalli dalle superfici
è necessario un metodo di pulitura RCA. Questo metodo tuttavia
non può essere utilizzato perché normalmente finirebbe per causare
danni alle superfici dei pattern o delle pellicole.
Per venire incontro alle esigenze del cliente, abbiamo sviluppato
il “Rokko Premium Process” grazie alla collaborazione dei produttori
dei macchinari.
■ Processo
Processo
convenzionale
Applicazione
nastro protettivo
Molatura
posteriore
Lucidatura
posteriore singola wafer
Macchina
per la rimozione dei nastri
Rokko
Premium process
Applicazione
nastro protettivo
Prevenzione
knife-edge
Molatura
posteriore
Lucidatura
posteriore singola wafer
Macchina
per la rimozione dei nastri
Pulitura
RCA per wafer a pattern
■ Processo
di prevenzione Knife Edge
“Richieste del cliente”
● Come evitate la rottura o la frammentazione dei wafer dopo la
loro lavorazione? Questi danni sono causati principalmente dall’uomo
o dal trasporto dei macchinari e possono condizionare tutto il processo
lavorativo. Come risolvete tali problematiche?
→
Alla Rokko disponiamo di servizi di smussatura pre molatura che
soddisfano le varie tipologie di esigenze per lo spessore di rifinitura
(per esempio di 100 o 50 um).
Mediante il controllo NC per le smussature, siamo in grado di lavorare
i wafer di vari spessori senza cambiare la mola.
Prima MP (molatura
posteriore)
Smussatura
Dopo MP (molatura
posteriore)
※Senza smussatura
※Con smussatura
※Creazione di una forma knife edge
※Creazione di una smussatura compatibile
con vari spessori di wafer.
Accesso al video dei test di caduta per i wafer di 6 inc
100u senza e con smussatura →
● Macchina per la prevenzione
del knife edge
Dimensione del wafer: 4, 5, 6, 8 inch
● Macchina per la prevenzione
del knife edge
Le forme del bordo possono essere regolate con un sistema
di controllo NC a seconda del suo spessore.
■ Molatura
posteriore
Alla Rokko abbiamo accumulato più di 10 anni di esperienza nel business
dell’assottigliamento dei wafer di vario tipo dai SOI e i GWSS ai
wafer di produzione di massa (spessore 100-150 um).
Cerchiamo di compiere sempre maggiori sforzi per migliorare il rendimento
dei wafer che prendiamo in consegna dal cliente.
Dispositivi MEMS: SOI, GWSS, attraverso-foro, a struttura cava,
a via attraverso silicone (TSV) e non circolari
● Molatura posteriore
Dimensione del wafer: 4, 5, 6, 8 inch
● Molatura posteriore
Miglioriamo costantemente il rendimento grazie ai controlli
giornalieri.
■ Nuove
funzioni: Per i macchinari attualmente in uso lo spessore del wafer
viene misurato con un misuratore. Nelle nuove macchine introdotte
recentemente, invece, è presente un NCG (misuratore senza contatto)
che consente alla macchina di misurare lo spessore del wafer con
un laser senza toccarlo. In questa nuova lavorazione tutti i wafer,
inclusi i MEMS a struttura cava o i wafer a foro possono essere
misurati. ■Dimensione del wafer: 4, 5, 6, 8, (12) inch
■Spessore: 100–150 μm
■Esempi di lavorazione per i wafer MEMS
Siamo inoltre specializzati in molatura e levigatura SOI, wafer
GWSS, wafer a struttura cava (cavity-structure), wafer attraverso-foro,
wafer a via attraverso silicio (TSV) e in wafer non circolari.
■ Lucidatura
posteriore di un singolo wafer
Dopo la molatura si creano sulla superficie delle leggere imperfezioni.
Durante questa fase i wafer vengono lucidati con cautela per rimuovere
queste imperfezioni. Onde evitare un possibile effetto negativo
sulla superficie, viene effettuata una lucidatura prudente e veloce.
■Vantaggi della lucidatura in singolo ：
●Processo senza cera che permette di raggiungere una miglior risultato
riducendo i requisiti per la pulitura.
●Può lucidare i wafer più efficientemente che un macchinario a lotto
e allo stesso tempo necessità spesso di meno spese.
●Consente una lucidatura più accurata e aiuta anche a raggiungere
livelli maggiori di sottigliezza.
● Lucidatura posteriore di un
singolo wafer
Dimensione del wafer: 4, 5, 6, 8 inch
● Lucidatura posteriore di un
singolo wafer
Il macchinario è in grado di lavorare wafer assottigliati
e wafer MEMS.
■ Nuovo
macchinario: Lucidatrice posteriore per 8 inch ■Dimensione del wafer: 4, 5, 6, 8 inch
■Migliori risultati di assottigliamento: 8 inch 85 μm
● Lucidatrice posteriore per
8 inch
Dimensione del wafer: 4, 5, 6, 8 inch
● Lucidatrice posteriore per
8 inch
Migliori risultati di assottigliamento: 8 inch 85 μm
■ Processo
automatico di pulitura scrub
■ Nuovo
macchinario：
Dopo la lucidatura dei residui di sostanze alcaline possono finire
per diventare macchie o fonti di particelle. La rimozione rapida
di tali residui prima che vengano rivestiti da pellicole di ossido
naturale è una delle tecniche chiave della lucidatura.
In origine, i wafer venivano puliti uno alla volta a mano dall’operatore.
Recentemente abbiamo introdotto un sistema di pulitura automatico
che elimina l’errore umano e le ripercussioni nella qualità per
raggiungere degli standard qualitativi uniformi.
■Dimensione del wafer: 4, 5, 6, 8 inch
■Spessore: fino a 100 μm
■Wafer a pattern e SOI
Possono essere lavorati anche i wafer a vetro.
● Scrubber automatico
Alte performance di pulizia.
● Scrubber automatico
Dimensione del wafer: 4, 5, 6, 8 inch
Possono essere lavorati anche i wafer a zaffiro e SiC.
■ Macchina
per la rimozione dei nastri
I nastri protettivi vengono rimossi dai wafer senza toccarne la
superfice.
■Dimensione del wafer: 5, 6 inch
■Tipo di nastro: nastri UV
■Caratteristiche ：
●I wafer vengono trasportati senza essere toccati medianti delle
braccia robotiche fondate sul principio di Bernoulli.
●Dopo che i wafer hanno subito l’irradiazione UV, i nastri protettivi
vengono rimossi automaticamente.
● Macchina per la rimozione dei
nastri
Dimensione del wafer: 5, 6 inch
● Macchina per la rimozione dei
nastri
Le superfici post lucidatura sono molto fragili. Per questo
si possono causare facilmente delle impercettibili graffiature
se queste vengono in contatto con qualsiasi componente metallica
delle macchine. Questo macchinario è in grado di rimuovere
i nastri senza toccare le superfici del wafer.
■ Pulitura
RCA per wafer a pattern
■Servizi disponibili
・Pulitura RCA posteriore per wafer a pattern metallici (rimozione
di particelle e contaminazioni)
・Pulitura RCA per wafer a pellicola (rimozione di particelle e contaminazioni)
・Pulitura RCA posteriore per wafer con supporto o legati (rimozione
di particelle e contaminazioni)
■Specificazioni di base
・Trasporto automatizzato senza contatto di superfici lucidate (da
cassette a cassette)
・Metodo di rotazione chamber doppio simultaneo (pulitura RCA ⇒ risciacquo
DIW ⇒ asciugatura)
・Rimozione delle contaminazioni dei metalli tramite una sola sostanza
chimica
・I wafer da 4, 5, 6 e 8 inch possono essere lavorati con uno spessore
minimo di 150 um. (Stiamo sviluppando la lavorazione anche per spessore
inferiori)
・Trattiamo anche wafer con supporto
■Grado di pulitura (superficie posteriore di wafer a pattern)
Particelle: ≧0.3um，≦50pcs/wf
Metalli pesanti Metalli pesanti: ≦5.0E10atoms/㎝-2
(Ka, Ca, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Al, Na)
Clicca qui per una dimostrazione della pulitura RCA posteriore
di un wafer a pattern →
● Pulitura RCA per wafer a pattern
Dimensione del wafer: 4, 5, 6, 8 inch
● Pulitura RCA per wafer a pattern
Clicca qui per una dimostrazione della pulitura RCA posteriore
di un wafer a pattern.
