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ROKKO ELECTRONICS Co., Ltd.

Zipp: 663-8105
8-5, Nakajima-cho, Nishinomiya-city, Hyogo, Japan



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SIIQ

NEDIA

SiCアライアンス

SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会

パワーデバイス・イネーブリング協会

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Processing compatibility chart by material

新工場の強み  

○-Mark = Processable Each material*Each processing content

Processing details
Material
Face
Bevel processing
Temporary bonding
Grinding
Film removal etching
Polishing
Double side polishing
CMP
RCA
claening
Reclaim
gas cluster beam
Frame mount
Silicon
N-dope SiC
Si-face
C-face
Semi-insulating SiC
Si-face
C-face
Polycrystalline SiC
LiTaO 3
LiNbO3
GaN
Ga-face
N-face
Sapphire
Ga2O3
AlN
Quartz
GaN on Si
GaN on Sap
GaN on SiC
SOI
Oxide film
Glass
新工場の強み  

2inchGaN-250um CMPfinish

2inchGaN-250um CMP仕上
化合物ウエハ

CMPfinish 2inchGaN-250um
ウェハ
A
B
C
D
E
TV5
AVE.
um
250.4
250.4
249.6
250.7
250.2
1.1
250.3

ZygoMeasurement data
No.
Sa (Surface Roughness) Unit: nm
outer
middle
center
average
1
0.097
0.188
0.194
0.160
新工場の強み  

6inchSAP-250um CMPfinish

6inchSAP-250um CMP仕上
化合物ウエハ

CMPfinish 6inchSAP-250um Unit:um
Wafer
A
B
C
D
E
TV5
AVE.
1
250.2
249.8
250.8
250.1
249.6
1.2
250.1
2
249.1
248.2
249.5
249.7
248.5
1.5
249.0
3
250.5
250.1
248.8
250.3
249.8
1.7
249.9

ZygoMeasurement data
No.
Sa (Surface Roughness) Unit: nm
outer
middle
center
average
1
6.23
6.01
5.20
5.81
2
4.60
5.30
5.81
5.24
3
6.21
6.07
5.35
5.88
新工場の強み  

6inch-GaNonSiC(glass resin bonding) CMPfinish

6inch-GaNonSiC(ガラス樹脂接合) CMP仕上げ
化合物ウエハ

CMPfinish 6inch-GaNonSiC(glass resin bonding) Unit:um
ウェハ
A
B
C
D
E
TV5
AVE.
1
50.5
50.2
50.1
48.4
49.3
2.1
49.7
2
50.1
49.1
50.3
50.6
50.8
1.7
50.2
3
49.6
49.8
50.1
51.6
50.8
2.0
50.4

ZygoMeasurement data
No.
Sa (Surface Roughness) Unit: nm
outer
middle
center
average
1
0.094
0.094
0.098
0.095
2
0.091
0.094
0.096
0.094
3
0.091
0.098
0.097
0.095
 

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