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ROKKO ELECTRONICS Co., Ltd.

Zipp: 663-8105
8-5, Nakajima-cho, Nishinomiya-city, Hyogo, Japan



加盟団体

SIIQ

NEDIA

SiCアライアンス

SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会

パワーデバイス・イネーブリング協会

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▼ Halbleitersensor

Beim Prozess wird zunächst eine elektrische Schaltung auf der Waferoberfläche gebildet. Danach wird ein Ausdünnungsschleifen auf der Rückseite durchgeführt. Wafer mit solch Schaltungen sind extrem wertvoll für Kunden und müssen sorgfältig behandelt werden. Durch die Verwendung von speziellen Schutzbändern sorgen wir dafür, dass keine Beschädigungen entstehen.
Ähnlich wie bei den Schleifdiensten für Powergeräte ist auch hier ein spezielles Schleifrad erhältlich, welches das Wachstum der Gettering-Schichten auf der Verarbeitungsoberfläche stimuliert.

Rokkos Stärke ist es, einen integrierten Verarbeitungsprozess liefern zu können (vom Schleifen bis hin zum Polieren)
■ Werkzeuge
● Waferschutzbandapplikator

Waferschutzbandapplikator
Nach einer eingehenden Überprüfung werden die Wafer mit einem Drucksensor oder UV-Bändern versehen. Beklebte Wafer werden während dieses Vorgangs auf Staubeintritte untersucht.
● Vollautomatische Schleifmaschine

Vollautomatische Schleifmaschine
Wafer zwischen 4 und 8 Zoll werden präzise geschliffen, ohne das die Ebenheit beeinflusst wird.
● Sichtprüfung

Sichtprüfung
Das Aussehen der Wafer wird im Prozess überprüft.
● Poliergeräte mit Einzelsystem

Poliergeräte mit Einzelsystem
Wafer werden gemäß den Dickenanforderungen des Kunden poliert.
● Automatisches Waferdickenmessgerät für spektrale Interferenzen

Automatisches Waferdickenmessgerät für spektrale Interferenzen
Band entfernen ohne die verarbeitete Oberfläche zu kontaktieren.
● Reinigungswerkzeug mit Ultraschall

Reinigungswerkzeug mit Ultraschall
Wafer werden nach der Bandentfernung mit Ultraschall gereinigt



● Endkontrolle

Endkontrolle
Wafer werden gemessen und darauf überprüft, ob sie mit den Anforderungen der Kunden übereinstimmen.
● Automatisches Waferdickenmessgerät für spektrale Interferenzen

Automatisches Waferdickenmessgerät für spektrale Interferenzen
Die Dicke kann gemessen werden für: Die Silikonschicht der bandgebundenen Wafer, SOI, Wafer mit Trägerbasis, Harzmaterial / bandgebundenen Wafer (wenn 2 Silikonwafer befestigt sind, kann die einseitige Silikonschicht gemessen werden).
● Automatisches Waferdickenmessgerät für spektrale Interferenzen

Automatisches Waferdickenmessgerät für spektrale Interferenzen
Die Dicke kann entweder nur von der Silikonschicht mit Trägerbasis gemessen werden, oder nur von der aktiven Silikonschicht. Ansonsten kann man nur die gesamte Dicke der ausgedünnten MEMS/Sensor-Wafer messen.
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