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ROKKO ELECTRONICS Co., Ltd.

Zipp: 663-8105
8-5, Nakajima-cho, Nishinomiya-city, Hyogo, Japan



加盟団体

SIIQ

NEDIA

SiCアライアンス

SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会

パワーデバイス・イネーブリング協会

SSL GlobalSign Site Seal


Eröffnung einer neuen Fabrik exklusiv für die Verarbeitung von Wafern aus neuem Material

seit dem 1. Januar 2017


~neue Materialien: SiC, Saphir, LT (Lithiumtantalat) usw.~

● Erhöhung der Verarbeitungsanzahl aufgrund der Massenproduktion

● Trennung von der Verarbeitung von Siliziumwafern und Abschluß vom Wafereingang bis zum Auslieferung in einem integrierten Prozess

● Kostenvorteil durch die Prozessverkürzung

● Beginn der Massenproduktion im März 2017


Die neue Fabrik exklusiv füt zusammengesetzter Wafer
Die neue Fabrik exklusiv füt zusammengesetzter Wafer 2.OG Reinigung/ Ausgangskontrolle
 
2.OG Reinigung/ Ausgangskontrolle
1.OG Polierraum
 
1.OG Polierraum
EG Schleifraum
 
EG Schleifraum

Die Stärke der neuen Fabrik

 

サファイア Erreichen einer hohen Qualität von „Ebenheit“, „Oberflächenrauhigkeit“, „von Verarbeitung beeinflusste Schicht“ durch Verwendung einer Schleifmaschine mit hoher Steifigkeit
⇒プReduzierung der Prozesskosten
     
サファイア   Reduktion der Verwölbung nach Rückschleifverdünnung.
⇒fähig zur Verarbeitung von Schleifen + Polieren in einem integrierten Prozess
     
サファイア   Hohe Sauberkeit durch Einführung exklusiver Reinigungsgeräte für SiC
(Reduktion der Verunreinigung + Partikel)
     
サファイア   Erwartung auf die Einführung einer Verarbeitung der Knife-Edge Protektion für SiC, die für Silizium bereits in Betrieb ist.

Verdünnungsprozess eines strukturierten SiC-Wafers

 

Beispiel für die Verarbeitung von strukturierten SiC-Wafern
Ergebnis der Dickenschwankungen von geschliffenen Wafer (SiC 6-Zoll Wafer)

:umサファイア
※TV5: 1um≧ nach dem Schleifen

 

Ergebnis des Rauheitsvergleichs nach dem Schleifen (SiC 6-Zoll Wafer)

 

サファイア Dickenschwankungen/ Oberflächenrauhigkeit verbessert durch den Einsatz einer Schleifmaschine mit hoher Steifigkeit.

※Im Vergleich zu herkömmlichen Schleifmaschinen ist die Oberflächenrauheit nach dem Schleifen verbessert worden.

事業案内

Verarbeitung der ultra-dünnen SiC-Wafer

Beispieldaten von SiC-Wafern, die mit Wafer-Unterstützung verarbeitet wurden.
Ergebnis der Dickenschwankungen von geschliffenen Wafer(SiC 4-Zoll Wafer)
※Erreichen der Ultra-Verdünnung & Ultra-Flachung.

Backggrinding
4 inch SiC
TV5 (um)
Range
A
B
C
D
E
22.88
22.4
22.03
22.75
22.31
0.37
TV5
超薄化&超平坦化


Rokko ist eines der wenigen Unternehmen, das einen integrierten SiC-Wafer-Verarbeitungsservice (Waferschleifen, Polieren und RCA-Reinigung) durch seine ausschließlich entwickelten Technologien anbietet.

Rokko hat Techniken entwickelt, um seine vorhandenen Halbleiterwerkzeuge und Ausrüstungen für den Betrieb von SiC -Wafern zu nutzen. Im Vergleich zu den herkömmlichen Ausrüstungen, die in der Saphirindustrie verfügbar sind, hat das Rokko-Verfahren seine Vorteile in Bezug auf Durchsatz, Wafer-Verwölbung, Rauheit und Flexibilität der Wafergröße.





SiC


SiC
● Totalreflexions-Röntgenfluoreszenzanalysator TREX610

Totalreflexions-Röntgenfluoreszenzanalysator TREX610
Messbare Elemente: 12 Elemente (S, Cl, K, Ca, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn)
● Candela CS20 Wafer-Oberflächen-Inspektionsmaschine

Candela CS20 Wafer-Oberflächen-Inspektionsmaschine
Wafergröße: 3, 4, 5, 6 Zoll
Dicke: 300 – 1400 μm
 Automatischer Reinigungsprozess (Schrubben)

Neues Werkzeug::
Ablagerungen, die alkalische Substanzen enthalten, führen nach dem Polieren zu Polierspuren oder Partikelquellen. Das Entfernen solcher Ablagerungen vor dem Beschichten mit natürlichen Oxidfilmen ist eines der Schlüsseltechniken beim Polieren.
Bei unserem herkömmlichen Verfahren wurden die Wafer Stück für Stück durch manuelles Schrubben gereinigt. Nun führte Rokko eine vollautomatische Reinigungsmaschine ein, um menschliche Fehler und Qualitätsabweichungen zu beseitigen, und dementsprechend eine einheitliche, stabile Qualität zu erreichen.

■Wafergröße: 4,5,6,8 Zoll
■Dicke: Bis zu 100 μm
■Gemusterte Wafer, SOI Wafer & MEMS
Auch kompatibel mit Wafern mit Glasträger.
● Automatische Schrubbausrüstung

Automatische Schrubbausrüstung
Hohe Reinigungsleistung.

● Automatische Schrubbausrüstung

Automatische Schrubbausrüstung
Wafergröße: 4,5,6,8 Zoll
Saphir- und SiC-Wafer können verarbeitet warden.
  SiC-Wafer-Prozess
  herkömmlicher Prozess der Rokkos Prozess
  Diamant-Läppen Polieren, CMP (Stapel) Schleifen Polieren CMP
Laufende Kosten Hoch
Metallräder + Diamanten
Gemäßigt
(Pads + Slurry)
Gemäßigt
(Diamant-Räder)
Gemäßigt
(Pads + Slurry)
erforderliches Niveau der Verfahrenstechnik Hoch Gemäßigt Hoch Hoch
Kosten der Ausrüstung Hoch Gemäßigt Hoch Hoch
Durchsatz sehr gering
Gering Gemäßigt Gemäßigt
Bemerkung "Wachsmontage
Schwierigkeiten bei der Einstellung des Läpptisches,
eine große Anzahl von Prozessen ist erforderlich."
"Wachsmontage
Schwierigkeiten bei der Einstellung des Läpptisches,
eine große Anzahl von Prozessen ist erforderlich."
"Vakuum-Spannsystem
Automatische Schleifmaschine für Saphir"
Wachsloses Polieren
  SiC-Wafer-Schleifprozess-Rauhigkeit
150 mm SiC-Wafer-Schleifen Oberflächenrauheit
Berührungslose Oberflächenprofil-Messgeräte Zygo Berührungslose Oberflächenprofil-Messgeräte Zygo

Auswertung Schruppschleifen Endschleifen
Rauhigkeit Ra 12.4-14.6nm 2-5nm
Verwölbung Aussehen (Maßstab) 0.5-0.8mm 0.2-0.4mm
※Oberflächenrauhigkeit: Berührungslose Oberflächenprofil-Messgeräte Zygo
  SiC Wafer das AFM-Messungsergebnis von Oberfläche nach dem CMP (6-Zoll)
6-Zoll Sic-Wafer-Oberfläche Das AFM-Messungsergebnis von polierte Oberfläche (drei Punkte von Fläche)
AFM
Zentrum
Ra:0.711Å
Mitte
Ra:0.576Å
Rand
Ra:0.632Å
150mm SiCウエハ Si面  CMP表面粗さ  Ra < 0.1nm
  SiC-Wafer Das Ergebnis von Partikelmessung nach der Reinigung
150mm SiC -Wafer Das Ergebnis von Partikelmessung nach der Reinigung
VorreinigungVorreinigung
Schrubben-ReinigungSchrubben-Reinigung
RCA ReinigungRCA Reinigung
Vorreinigung   Schrubben-Reinigung   RCA Reinigung
1.Schrubben-Reinigung ist wirksam für die Entfernung großer Partikel.
2.Partikel und Schmutz werden nach der RCA-Reinigung entfernt.
310 Stücke≧0,3um
  Metallverunreinigung nach der Reinigung von SiC-Wafern
Metallverunreinigung nach der Reinigung von 150mm Saphir-Wafern
TXRF Prüfer
TXRF Prüfer
TXRF Prüfer
Messungsergebnis (durch TRFX) des Reinigungsprozesses von Saphir-Wafern

<5X1010atoms/cm2
  TXRF Prüfer

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