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ROKKO ELECTRONICS Co., Ltd.

Zipp: 663-8105
8-5, Nakajima-cho, Nishinomiya-city, Hyogo, Japan



加盟団体

SIIQ

NEDIA

SiCアライアンス

SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会

パワーデバイス・イネーブリング協会

SSL GlobalSign Site Seal


▼ MEMS / Prototyp

Wir bieten spezielle Schleif- und Polierverfahren von verschiedenen MEMS Prototypen (ab 1 Stück) an. Seit kurzem nehmen wir auch Aufträge von Massenproduktionen an. Wir führen eine integrierte Verarbeitung (vom Schleifen bis zum Polieren) von Wafern mit den folgenden Eigenschaften durch: SOI, GWSS, Löchern, Hohlraumstrukturen, Elektrodendurchschuss und Nicht-Kreisform.

■ Beispiele von MEMS Produkten


●Ausgedünnte Wafer

Wafergröße: φ200 mm
Dicke: 32 μm
Rückenschleifen: #2000 Fertigung

Ausgedünnte Wafer

●GWSS (Glasswafer Supportsystem)

Wafergröße: φ200 mm
Dicke: 11 μm
Rückenschleifen: #2000 Fertigung
Glas: Pyrex

GWSS (Glasswafer Supportsystem)

●GWSS (Glasswafer Supportsystem)

Wafergröße: φ200 mm
Dicke: 4.5 μm
Fertigpolierung
Glas: Pyrex

Schleifen und Polieren
8 Zoll Silizium
TV5 (um)
Messbereich
A
B
C
D
E
4.15
4.6
4.37
2.21
3.93
2.39
GWSS (Glasswafer Supportsystem)

GWSS (Glasswafer Supportsystem)
GWSS (Glasswafer Supportsystem)

●Wafer mit Hohlraumstruktur

Wafergröße: φ150 mm
Dicke: 100 μm
Rückenschleifen: #2000 Fertigung

Wafer mit Hohlraumstruktur

●Wafer mit Hohlraumstruktur

Der obige Wafer wurde um 5um ausgedünnt.

Wafer mit Hohlraumstruktur


■ Werkzeuge
 Rückseitenschleifen und Polieren für TSV

„Punkte, die man bei der TSV Verarbeitung berücksichtigen sollte“

① Oberflächenabfall um das Loch
→ Der Bereich um das Loch kann aufgrund der Einwirkung der Chemikalie durchhängen, je nach Polierdauer.
② Kantenschaden
→ Während der TSV Verarbeitung wird DREI verwendet, welches feine Kantenerosionen verursachen kann.
③ Fremdkörper im Loch
→ In den Löchern können feine Polierpartikel verbleiben.

  ROKKO Electronics wird all diese Aspekte ansprechen


Rückseitenschleifen und Polieren für TSV
 Wafer-dicing (in die Hälfte geschnitten)

Der ultradünner Wafer mit geschnittener Rille bei halber Waferdicke durch Würfelnund die Rückseite ist mit Chips ausgekleidet.。

Wafer-dicing (in die Hälfte geschnitten)
 Knife-Edge Protektion

„Kundenbedürfnisse“
● Wie verhindern Sie, dass die Wafer nach dem Verdünnungsprozess nicht zerbrochen werden? Solch Schäden können sowohl von Menschen als auch von Geräten verursacht werden, und das Ganze wirkt sich auf Ihre Prozessausbeute aus. Wie möchten Sie dieses Problem lösen?


Wir bieten Abschrägungsdienste und gehen dabei auf die vielfältigen Bedürfnisse bezüglich der fertigen Dicke (z. B. 100μ, 50μ usw.) ein.
Da die Abschrägung durch NC-Steuerung erfolgt, ist es möglich, Wafer auf jede beliebige Dicke zu verarbeiten, ohne den Schleifstein auszutauschen.
Vor dem Rückenschleifen
Abschrägung
Nach dem Rückenschleifen
Knife-Edge Protektion Knife-Edge Protektion
Knife-Edge Protektion
※Ohne Abschrägungsdienst ※Abschrägungsdienst
Knife-Edge Protektion Knife-Edge Protektion Knife-Edge Protektion
※Das Bilden einer messerscharfen Form ※Die Abschrägung ist kompatibel mit verschiedenen Waferdicken, und kann so ein geeignetes Kantenprofil bilden.

Klicken Sie hier, um ein Falltest-Video eines 6-Zoll-100μ-Wafers mit / ohne Abschrägung zu sehen→
YOUTUBE
● Verarbeitungsmaschine zur Knife-Edge protektion

Verarbeitungsmaschine zur Knife-Edge protektion
Wafergröße: 4,5,6,8 Zoll
● Verarbeitungsmaschine zur Knife-Edge protektion

Verarbeitungsmaschine zur Knife-Edge protektion
Durch das NC-Steuerungssystem können die Kantenformen entsprechend ihrer Dicke angepasst werden.
 Rückseitenschleifen

Rokko verfügt über mehr als 10 Jahre Erfahrung im Bereich der Waferverdünnung mit verschiedenen Wafertypen, von SOI, GWSS, bis hin zur normalen Massenproduktion (Dicke von 100-150um).
Wir bemühen uns kontinuierlich, die Ausbeute der von unseren Kunden erhaltenen Wafer zu verbessern.
MEMS-Anwendungen: SOI, GWSS, Wafer mit Löchern, Hohlraumstrukturen, Silizium-Durchkontaktierung, und nichtkreisformige Wafer.
● Rückseitenschleifer

Rückseitenschleifer
Wafergröße: 4,5,6,8 Zoll
● Rückseitenschleifer

Rückseitenschleifer
Erzielung höherer Ausbeute durch tägliche Wartungsprüfungen.

Neue Funktionen:
Beim herkömmlichen Verfahren wird die Waferdicke mit einem In-Process-Messgerät gemessen.Rokko hat vor kurzem die Maschine installiert, welches mit einem NCG (berührungsloses Messgerät) ausgestattet ist. Diese Maschine kann die Waferdicke per Laser messen, ohne sie zu berühren. Im diesem neu entwickelten Verfahren können alle Wafer einschließlich MEMS, wie z.B. Hohlraum-strukturierte oder durchlöcherte Wafer, gemessen werden.

NCG
■Wafergröße: 4,5,6,8 Zoll
■Dicke: 100–150 μm
■MEMS Waferverarbeitung

Wir führen eine integrierte Verarbeitung (vom Schleifen bis zum Polieren) von Wafern mit den folgenden Eigenschaften durch: SOI, GWSS, Löchern, Hohlraumstrukturen, Elektrodendurchschuss und Nicht-Kreisform.


 Rückseitenpolieren von einzelnen Wafern

Nach dem Schleifen entstehen kleine Unebenheiten auf der Waferoberfläche.
In diesem Prozess werden Wafer sorgfältig poliert um die Unebenheiten zu beseitigen. Es wird präzise und schnell poliert, sodass keine Verzerrungen oder Kratzer auf der Waferoberfläche entstehen.

■Vorteile des Einzelwaferprozesses:
●Es ist ein wachsfreies Verfahren welches einen höheren Reinheitsgrad ermöglicht, da die Reinigungsanforderungen reduziert werden.
●Ein einzelnes Waferverarbeitungswerkzeug kann Wafer effizienter polieren als der Bach-Typ und erfordert im Vergleich auch weniger Entfernungen.
●Eine einzelne Waferverarbeitung sorgt für ein genaueres Polieren und hilft auch dabei, mehr Ebenheit zu erzielen.
● Einzelwafer-Rückschleifmaschine

Einzelwafer-Rückschleifmaschine
Wafergröße: 4,5,6,8 Zoll
● Einzelwafer-Rückschleifmaschine

Einzelwafer-Rückschleifmaschine
Diese Maschine kann ausgedünnte Wafer und MEMS-Wafer verarbeiten.

Neues Werkzeug: 8-Zoll-Einzelwafer-Poliermaschine
■Wafergröße: 4,5,6,8 Zoll
■Dünnste Massenproduktion Ergebnisse: 8 Zoll 85 μm

● 8-Zoll-Einzelwafer-Poliermaschine

8-Zoll-Einzelwafer-Poliermaschine
Wafergröße: 4,5,6,8 Zoll
● 8-Zoll-Einzelwafer-Poliermaschine

8-Zoll-Einzelwafer-Poliermaschine
Dünnste Massenproduktion Ergebnisse: 8 Zoll 85 μm


 Automatischer Reinigungsprozess (Schrubben)

Neues Werkzeug::
Ablagerungen, die alkalische Substanzen enthalten, führen nach dem Polieren zu Polierspuren oder Partikelquellen. Das Entfernen solcher Ablagerungen vor dem Beschichten mit natürlichen Oxidfilmen ist eines der Schlüsseltechniken beim Polieren.
Bei unserem herkömmlichen Verfahren wurden die Wafer Stück für Stück durch manuelles Schrubben gereinigt. Nun führte Rokko eine vollautomatische Reinigungsmaschine ein, um menschliche Fehler und Qualitätsabweichungen zu beseitigen, und dementsprechend eine einheitliche, stabile Qualität zu erreichen.

■Wafergröße: 4,5,6,8 Zoll
■Dicke: Bis zu 100 μm
■Gemusterte Wafer, SOI Wafer & MEMS
Auch kompatibel mit Wafern mit Glasträger.
● Automatische Schrubbausrüstung

Automatische Schrubbausrüstung
Hohe Reinigungsleistung.

● Automatische Schrubbausrüstung

Automatische Schrubbausrüstung
Wafergröße: 4,5,6,8 Zoll
Saphir- und SiC-Wafer können verarbeitet warden.
 Kontaktloses Abziehen von Oberflächenbändern

Das Klebeband wird abgezogen, ohne die polierte Oberfläche zu berühren.
■Wafergröße: 5,6 Zoll
■Bandtyp: UV-Bänder
■Eigenschaften:
●Der Roboterarm vom Typ Bernoulli überträgt Wafer, ohne dass sie berührt werden.
●Nachdem die Wafer aufgestellt werden für die UV Bestrahlung, wird das Band automatisch abgezogen.
● Automatisches Waferdickenmessgerät für spektrale Interferenzen

Automatisches Waferdickenmessgerät für spektrale Interferenzen
Wafergröße: 5,6 Zoll
● Automatisches Waferdickenmessgerät für spektrale Interferenzen

Automatisches Waferdickenmessgerät für spektrale Interferenzen
Die Oberfläche nach dem Polieren ist sehr fragil und verursacht Mikrokratzer, wenn sie mit Metallteilen in Kontakt kommt. Diese Maschine kann jedoch Bänder automatisch ohne Kontakt abziehen.
 RCA Reinigungsprozess für gemusterte Wafer

■Verfügbare Dienste
・RCA-Reinigung für Wafer mit metallischen Mustern (Partikel- und Metallreinigung)
・RCA-Reinigung für Filmwafer (Partikel- und Metallreinigung)
・RCA-Reinigung der Waferrückseite für Trägerwafer oder gebundene Wafer (Partikel- und Metallreinigung)

■Grundlegende Spezifikationen
・Kontaktlose automatische Übertragung der polierten Oberfläche (Kassette zu Kassette)
・Gleichzeitige 2-Kammer-Schleudermethode (RCA-Reinigung ⇒ Reinwasserspülung ⇒ Trocknen)
・Reinigung von Metallverunreinigungen durch nur einen chemischen Prozess.
・Kompatibel für 4, 5, 6, 8 Zoll mit einer Mindestdicke von 150 μm (am Prozess für unter 150 μm wird zurzeit gearbeitet.)
・Trägerwafer können bei Rokko verarbeitet werden.

■Sauberkeit (gemusterte Waferrückseite)
Partikel: ≧0.3um,≦50Stück/wf
Schwermetall: ≦5.0E10atoms/cm-2
(Ka, Ca, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Al, Na)
Klicken Sie hier, um eine RCA-Reinigung der Rückseite von gemusterten Wafern zu sehen →
YOUTUBE
● RCA Reinigungsprozess für gemusterte Wafer

RCA Reinigungsprozess für gemusterte Wafer
Wafergröße: 4,5,6,8 Zoll
● RCA Reinigungsprozess für gemusterte Wafer

RCA Reinigungsprozess für gemusterte Wafer
Dieses Gerät kann ausschließlich eine Seite (Rückseite) reinigen, ohne auf der anderen Seite Schäden zu verursachen.
■ Werkzeuge
● Vollautomatische Schleifmaschine

Vollautomatische Schleifmaschine
Fähig einzelne und mehrere Wafer herzustellen.
● Einzelwafer-Dünnschichtpoliermaschine

Einzelwafer-Dünnschichtpoliermaschine
Poliert Wafer mit hoher Genauigkeit, ohne die Polierfläche zu berühren.

※Diese Maschine wird ausschließlich von Rokko entwickelt und angepasst.
● Kapazitätswaferdickenmessgerät

Kapazitätswaferdickenmessgerät
Dieses Gerät entlädt Wafer von Kassetten und misst die Dicke an einer festgelegten Koordinate des Wafers.
Die Messung erfolgt über einen berührungslosen Kapazitätssensor.
● Kapazitätswaferdickenmessgerät

Kapazitätswaferdickenmessgerät
Messbare Dicke: 100-1800 um (abhängig von der Wafergröße)
Mittelpunktmessung (Koordinaten können über die Maschinenkonfiguration eingestellt werden).
● Automatisches Waferdickenmessgerät für spektrale Interferenzen

Automatisches Waferdickenmessgerät für spektrale Interferenzen
Die Dicke kann gemessen werden für: Die Silikonschicht der bandgebundenen Wafer, SOI, Wafer mit Trägerbasis, Harzmaterial / bandgebundenen Wafer (wenn 2 Silikonwafer befestigt sind, kann die einseitige Silikonschicht gemessen werden).
● Automatisches Waferdickenmessgerät für spektrale Interferenzen

Automatisches Waferdickenmessgerät für spektrale Interferenzen
Die Dicke kann entweder nur von der Silikonschicht mit Trägerbasis gemessen werden, oder nur von der aktiven Silikonschicht. Ansonsten kann man nur die gesamte Dicke der ausgedünnten MEMS/Sensor-Wafer messen.
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