加工技术:六甲电子株式会社


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六甲电子株式会社

邮编: 663-8105
兵库县西宫市中岛町8-5

▼　加工技术介绍

影响半导体特性和性能的硅晶圆的减薄和拋光技术。
我们以高精度的加工技术进行开发、改进、更新和制造。
另外，通过开发和批量生产诸如MEMS等特殊晶圆的减薄和拋光，可以满足各种各样对于半导体制造的需求。

■　坡口加工技术

由于成品晶圆非常薄，加工前晶圆的斜面形状会变得像刀刃一样锋利，容易导致崩边。我们可以预先进行处理来防止这种情况发生。

■　减薄技术

实施高精度减薄，避免厚度不均。根据产品的条件，从种类丰富的减薄机中选择最适当的减薄机进行加工。
试作晶圆的厚度根据支撑方法/直径尺寸而不同，可以减薄到15μm，量产晶圆虽然根据直径不同而不同，但加工厚度可以达到100μm以下。.

■　拋光技术

对减薄后在表面上有轻微凸凹的硅片进行抛光。
进行慎重且迅速的抛光，以避免影响表面性能。为了避免变形和刮擦，需要高精度加工。

■　MEMS技术

对于开孔/cavity构造/硅穿孔/非圆形等晶圆、SOI、GWSS晶圆等，采用MEMS（微电子机械系统），可以使用减薄和拋光的一条龙式加工。.

■　RCA清洗技术

对于正面带有图案的零件，背面会被减薄，当返还给客户进行后续工序时，仅对减薄后的表面进行RCA清洗以去除金属污染物，然后再返还给客户。（RCA清洗不会触及带有图案的表面。）

■　临时粘合技术

需要将硅和化合物晶圆加工至≤100μm的厚度，但使用单片晶圆存在一些局限性，例如将减薄后的晶圆转移到下一工序。对于此类晶圆，需要使用支撑基板对其进行持续支撑，直至进行切割工序。

■　双面抛光技术

双面抛光机的引进使我们能够实现面内TTV小于1μm。这使我们能够处理用于键合衬底材料的硅加工。

■　监测晶圆再生技术

我们提供您工艺流程各阶段所需的显示器晶圆精加工和抛光服务。我们将根据您的需求提供定制化服务，包括厚度控制、颗粒控制和金属污染控制。我们可处理 4 英寸至 8 英寸的晶圆尺寸。

■　SiC晶圆加工技术

我们可以对尺寸达 8 英寸的 SiC 晶片进行研磨、抛光、RCA 清洗、各种检测和外延再生。

■　复合晶圆加工技术

我们可以处理各种类型的复合晶圆，并提供加工和检测服务。⇒ 详情请参阅复合晶圆页面。

■　CMP平坦化技术

我们将提供用于氧化膜平坦化的CMP（化学抛光）工艺。

■　gas cluster beam技术

对于无法通过研磨和 CMP 加工实现的超平整工艺，我们使用修整作为最终精加工步骤，以实现纳米级平整。

■　去膜蚀刻技术

我们还提供一项服务，通过蚀刻去除显示器晶圆上的各种薄膜，然后进行RCA清洗，从而清除污染物。我们还可以通过各种检测来验证所有污染物是否已彻底清除。如果需要无颗粒保证，我们可以通过我们的标准再处理服务满足这一要求。

■　框架安装技术

在我们的支持服务中，我们将经过您的加热和化学处理后的薄晶圆安装到切割环上，去除支撑材料，然后将其退还给您。

■　各种检查技术

我们提供付费合同服务，用于检测各种类型的半导体器件晶圆，包括透明化合物晶圆和硅晶圆。