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기술과 가공에 대한 질문, 궁금하신 사항 등 부담을 갖지 마시고 문의해주세요.
담당 : 영업부
TEL: 81-798-65-4508
FAX: 81-798-67-5038
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채용에 관한 문의는 아래 버튼을 클릭해주세요.
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ROKKO ELECTRONICS Co., Ltd.

Zipp: 663-8105
8-5, Nakajima-cho, Nishinomiya-city, Hyogo, Japan
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당사는 반도체 생산 공정에서 다음과 같은 업무를 취급합니다.
-웨이퍼의 표면과 백사이드의 정밀 연삭 및 연마 가공
-모니터 웨이퍼 재생 연마 가공
-화학적 처리 및 금속 오염, 파티클 관리 RCA 세정
-MEMS 웨이퍼 등 특수 웨이퍼의 각종 가공

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■ 소재별 가공 대응표
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○표시 = 대응 가능 각 소재*각 가공 내용
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가공 내용
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소재
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얼굴
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베벨 가공
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Temporary bonding
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연삭
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막 제거 에칭
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연마
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양면 연마
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CMP
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RCA
claening
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Reclaim
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gas cluster beam
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Frame mount
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실리콘
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C면
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Si면
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사파이어
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석영
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GaN on Sap
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산화막
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■ 소재별 검사 대응표
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○표시 = 대응 가능 각 소재*각 검사 내용
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소재
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얼굴
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파티클
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오염
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평탄도
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두께 측정
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TXRF
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Zygo
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TTV
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SBIR
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SFQR
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BOW
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Warp
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SORI
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접촉식
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비접촉식
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비저항
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P/N
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MEM
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SICA
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SiC 에피 웨이퍼
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GaN on Sap
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■4-8 인치 대응
■나이프 엣지 방지 가공
■테라스 가공
■엣지 프로파일 측정
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■테이프 접합 4 · 6 · 8 인치 대응
■ 수지 접합 6 · 8 인치 대응 레지스트가 붙고 싶은 웨이퍼도 수지 접합 대응 가능
■ 서포트 기판 대응 가능
■ 테라스 가공 대응 가능
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■4~8 인치
■범프 웨이퍼
■감압형 테이프, UV 테이프
■링 프레임 웨이퍼
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■4~8 인치
■배치식/매엽식 연마 장치
■단면/양면 경면 마감
■GWSS |
■4-8 인치 대응
■막을 약품으로 제거
■ 오염 확인 대응 가능
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■4・6・8인치 대응
■고평탄화<0.5um
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■4~6 인치
■막 제거
■RCA 세정
■파티클, 금속 오염, 두께, 외관검사
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■4~8 인치
■BG&POL
■SOI 웨이퍼 각 레이어 두께 조정
■GWSS
■캐비티 구조, 실리콘관통전극
■하프 컷 다이싱
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■디핑 4-8 인치 대응
■매 양식 4-8 인치 대응
■각종 화합물 웨이퍼 대응 가능
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■4·6인치 대응
■산화막·LT/LN 대응
■nm 레벨의 평탄화
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■4·6인치 대응
■산화막·LT/LN 대응
■nm 레벨의 평탄화

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■6 · 8 인치 대응
■ 수지 박리 후 다이 싱 링에 프레임 마운트
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■4-8 인치 대응
■이면 박화 가공
■Si면・C면 에피 재생 가공
■막 제거 에칭 가공
■웨이퍼 메이킹
■각종 측정 서비스
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■4-8 인치 대응
■ 각종 웨이퍼 가공 서비스
■ 베벨 · 연삭 · 연마 · 세정 · 서포트 · 에칭 가공 etc
■ 각종 측정 서비스
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■4-8 인치 대응
■파티클 측정
■오염 측정
■평탄도 측정
■두께 측정
■비저항 측정
■P/N 측정
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■4-8インチ対応
■SICA88
■MEM
■TROPEL
■ZYGO
■TREX
■ICP-MS
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UV 테이프 박리기(다이싱 링 포함) |
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단일 웨이퍼 및 다중 웨이퍼 생산 가능. |

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직경 8인치까지의 웨이퍼를 DIW 세정, 헹굼, 공기 건조. 。 |


8인치 웨이퍼도 재생가공 가능
모니터 웨이퍼 재생 연마 가공

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웨이퍼 공정에서 이미 사용한 모니터 더미 웨이퍼를
신제품과 동등한 품질로 재생해 여러 번 사용 가능하게 하는 재활용 공정입니다. 이 공정을 통해 모니터 웨이퍼의
반복 사용이 가능해지므로 소재 비용을 절감 효과를 기대할 수 있습니다. |
웨이퍼 사이즈:
3 인치
4 인치
5 인치
6 인치
8 인치 |
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막
제거
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약액 선택
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입고 검사
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연마
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두께 및 막 유형 분류
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출하
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최종
검사
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세정
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파티클, 금속 오염, 두께, 외관검사
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RCA 세정
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■ 새 장치:비저항, P/N, 두께 소터 장치


4, 5, 6, 8인치 대응 |
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측정 가능한 저항 범위:1.0m~3.0MΩ・cm |


숙련된 오퍼레이터가 웨이퍼를 막을 종류별로 분류합니다. |
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웨이퍼의 다양한 막은 화학적 에칭으로 제거합니다. |


웨이퍼는 막 제거 후 두께별로 분류합니다. |
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배치식 경면 연마를 합니다. |


연마 후 웨이퍼의 금속 오염과 파티클 등을 제거하기 위해 세정합니다. |
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연마된 웨이퍼의 파티클을 검사합니다. |


연마한 웨이퍼의 BOW・WARP・TTV의 측정을 실시합니다. |
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고객의 사양을 기준으로 웨이퍼를 측정하고 검사합니다. |


※수탁 검사 대응 가능
금속 오염 · 전면 스윕 측정 가능
【 S Cl K Ca Ti Cr Mn Fe Co Ni Cu Zn 】 |
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● 유도 결합 플라즈마 질량 분석기
【ICP-MS】 |


※수탁 검사 대응 가능
금속 오염, 각종 금속 측정 가능 |
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