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平成24年度西宮市優良事業所顕彰受賞


ROKKO ELECTRONICS Co., Ltd.

Zipp: 663-8105
8-5, Nakajima-cho, Nishinomiya-city, Hyogo, Japan



加盟団体

SIIQ

NEDIA

SiCアライアンス

SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会

パワーデバイス・イネーブリング協会

SSL GlobalSign Site Seal



소재별 가공 대응표

新工場の強み  

○표시 = 대응 가능 각 소재*각 가공 내용

가공 내용
소재
얼굴
베벨 가공
Temporary bonding
연삭
막 제거 에칭
연마
양면 연마
CMP
RCA
claening
Reclaim
gas cluster beam
Frame mount
실리콘
N-dope SiC
Si면
C면
반절연 SiC
Si면
C면
다결정 SiC
LiTaO 3
LiNbO3
GaN
Ga면
N면
사파이어
Ga2O3
AlN
석영
GaN on Si
GaN on Sap
GaN on SiC
SOI
산화막
유리
新工場の強み  

2inchGaN-250um 마무리

2inchGaN-250um CMP仕上
化合物ウエハ

CMP마무리 2inchGaN-250um
ウェハ
A
B
C
D
E
TV5
AVE.
um
250.4
250.4
249.6
250.7
250.2
1.1
250.3

Zygo 측정 데이터
No.
Sa (면조도) 단위:nm
외주
중간
중심
평균
1
0.097
0.188
0.194
0.160
新工場の強み  

6inchSAP-250um CMP마무리

6inchSAP-250um CMP仕上
化合物ウエハ

CMP마무리 6inchSAP-250um 단위:um
ウェハ
A
B
C
D
E
TV5
AVE.
1
250.2
249.8
250.8
250.1
249.6
1.2
250.1
2
249.1
248.2
249.5
249.7
248.5
1.5
249.0
3
250.5
250.1
248.8
250.3
249.8
1.7
249.9

Zygo 측정 데이터
No.
Sa (면조도) 단위:nm
외주
중간
중심
평균
1
6.23
6.01
5.20
5.81
2
4.60
5.30
5.81
5.24
3
6.21
6.07
5.35
5.88
新工場の強み  

6inch-GaNonSiC(유리 수지 접합) CMP마무리

6inch-GaNonSiC(ガラス樹脂接合) CMP仕上げ
化合物ウエハ

CMP마무리 6inch-GaNonSiC(유리 수지 접합) 단위:um
ウェハ
A
B
C
D
E
TV5
AVE.
1
50.5
50.2
50.1
48.4
49.3
2.1
49.7
2
50.1
49.1
50.3
50.6
50.8
1.7
50.2
3
49.6
49.8
50.1
51.6
50.8
2.0
50.4

Zygo 측정 데이터
No.
Sa (면조도) 단위:nm
외주
중간
중심
평균
1
0.094
0.094
0.098
0.095
2
0.091
0.094
0.096
0.094
3
0.091
0.098
0.097
0.095
 

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