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ROKKO ELECTRONICS Co., Ltd. Zipp: 663-8105
얇게 완성되는 웨이퍼의 두께에 의해 가공전의 웨이퍼의 베벨의 형상이 나이프처럼
뾰족해, 치핑의 원인이 되어 갑니다. 이들을 사전에 예방하는 가공이 가능합니다.
고정도 연삭에서는 두께 편차를 제거하는 것이 상당히 중요합니다. 이 과정에서
다양한 공정 장비를 이용해 고객의 니즈를 만족시키기 위해 최적의 연삭 결과물을 제공합니다.
연삭 후 웨이퍼 표면에 생긴 미세한 요철 을 연마하는 경면 가공을 실시합니다.
MEMS(미세전자제어기술, Micro Electronics Mechanical
System) 가공 관통, 캐비티 구조, 관통 전극, 비원형 등 웨이퍼, GWSS 웨이퍼 등의 연삭 연마
가공이 가능합니다.
표에 패턴이 붙은 위에는 이면을 박화 가공해, 고객의 공정에 되돌릴 때에 가공면의
오염 제거를 위해, 박화 가공면만 RCA 세정해 금속 오염을 제거해 되돌릴 수가 있습니다. (표면의 패턴면에는
RCA 세정이 회전하는 일은 없습니다
실리콘 및 화합물 웨이퍼에 놓고 ≤100um에의 가공 요구가 있습니다만, 박화
가공해 버린 웨이퍼의 다음 공정의 이동 등, 웨이퍼 단체에서는 한계가 있습니다. 이러한 웨이퍼에 대해 서포트
기판을 사용해, 다이싱 공정까지의 사이를 서포트해 계속합니다.
양면 연마기의 도입에 의해 면내 TTV＜1um의 가공을 실현할 수 있습니다.
접합 기판재의 실리콘 가공에 있어서 대응이 가능합니다.
고객의 각 공정에서 필요한 모니터 웨이퍼의 재생 연마를 실시합니다. 두께 관리·파티클
관리·금속 오염 관리 등, 고객의 요구에 맞는 대응을 하겠습니다. 대응 가능 웨이퍼 사이즈는 4~8인치.
SiC 웨이퍼는 8 인치 웨이퍼까지 연삭·연마·RCA 세정·각종 검사·에피 재생
가공이 대응 가능합니다.
산화막 평탄화 CMP의 가공에 대응해 갑니다.
연삭⇒CMP 가공으로 달성할 수 없는 초평탄화 가공에 관해서는 최종 마무리로서
트리밍 가공으로 nm 레벨의 평탄화 가공을 실현합니다.
모니터 웨이퍼의 각종 막은 에칭을 실시하여 막만 제거하고, RCA 세정하는 것으로
오염물을 제거하는 서비스도 실시합니다. 오염물이 완전히 취해졌는지 각종 검사로 확인도 가능합니다. 파티클의
보증도 필요한 경우는 통상의 재생 가공으로 대응도 가능합니다.
서포트 서비스에 있어서, 박화한 웨이퍼를 고객의 가열·약품 공정을 통과한 웨이퍼를
당사에서 다이싱 링에 마운트해, 서포트재를 제외해, 반환합니다.
투명체의 화합물 웨이퍼나 실리콘 웨이퍼 등 각종 다양한 반도체 디바이스 웨이퍼용의
검사를 유상 수탁 서비스로 대응하고 있습니다.
