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如果對技術和加工問題需要諮詢，請隨時與我們聯繫。
聯系人：營業部
TEL: 81-798-65-4508
FAX: 81-798-67-5038
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六甲電子株式會社
郵政編號: 663-8105
兵庫縣西宮市中島町8-5
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影響半導體特性和性能的矽晶圓的減薄和拋光技術。
我們以高精度的加工技術進行開發、改進、更新和制造。
另外，通過開發和批量生產諸如MEMS等特殊晶圓的减薄和拋光，可以滿足各種各樣對於半導體制造的需求。
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由於成品晶圓非常薄，加工前晶圓的斜面形狀會變得像刀刃一樣鋒利，容易導致崩邊。我們可以預先進行處理來防止這種情況發生。 |
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實施高精度減薄，避免厚度不均。根據產品的條件，從種類豐富的減薄機中選擇最適當的減薄機進行加工。
試作晶圓的厚度根據支撐方法/直徑尺寸而不同，可以減薄到15μm，量產晶圓雖然根據直徑不同而不同，但加工厚度可以達到100μm以下。 |
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對減薄後在表面上有輕微凸凹的矽片進行拋光。
進行慎重且迅速的拋光，以避免影響表面性能。為了避免變形和刮擦，需要高精度加工。 |
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對於開孔/cavity構造/矽穿孔/非圓形等晶圓、SOI、GWSS晶圓等，採用MEMS（微電子機械系統），可以使用減薄和拋光的一條龍式加工。 |
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矽片表面的細微瑕疵會被拋光至鏡面效果。拋光過程必須小心謹慎且迅速，以避免影響表面性能。此外，還需要極高的精度來避免變形或刮痕。 |
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對於正面有圖案的零件，背面會被減薄，當返還給客戶進行後續工序時，僅對減薄後的表面進行RCA清洗以去除金屬污染物，然後再返還給客戶。
（RCA清洗不會觸及有圖案的表面。） |
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需要將矽和化合物晶圓加工至≤100μm的厚度，但使用單片晶圓有一些局限性，例如將減薄後的晶圓轉移到下一工序。對於此類晶圓，需要使用支撐基板對其進行持續支撐，直到進行切割工序。 |
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雙面拋光機的引進使我們能夠實現面內TTV小於1μm。這使我們能夠處理用於鍵合襯底材料的矽加工。 |
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我們提供您製程各階段所需的顯示器晶圓精加工和拋光服務。我們將根據您的需求提供客製化服務，包括厚度控制、顆粒控制和金屬污染控制。我們可處理
4 吋至 8 吋的晶圓尺寸。 |
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我們可以對尺寸達 8 英寸的 SiC 晶片進行研磨、拋光、RCA 清洗、各種檢測和外延再生。 |
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我們將提供用於氧化膜平坦化的CMP（化學拋光）製程。 |
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對於無法透過研磨和 CMP 加工實現的超平整工藝，我們使用修整作為最終精加工步驟，以實現奈米級平整。 |
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我們還提供一項服務，透過蝕刻去除顯示器晶圓上的各種薄膜，然後進行RCA清洗，從而清除污染物。我們也可以透過各種檢測來驗證所有污染物是否已完全清除。如果需要無顆粒保證，我們可以透過我們的標準再處理服務來滿足此要求。 |
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在我們的支援服務中，我們將經過您的加熱和化學處理後的薄晶圓安裝到切割環上，去除支撐材料，然後將其退還給您。 |
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我們提供付費合約服務，用於檢測各種類型的半導體裝置晶圓，包括透明化合物晶圓和矽晶圓。 |
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