SiC:六甲電子株式會社


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六甲電子株式會社

郵政編號: 663-8105
兵庫縣西宮市中島町8-5

6・8吋SiC晶圓的新加工工藝
背面減薄	：	磨削	⇒	CMP(Option)

Epi再生	：	磨削	⇒	CMP	⇒	RCA洗滌
	⇒	SICA88	⇒	RCA洗滌

膜去除再生	：	蝕刻	⇒	RCA洗滌
		SICA88（Option)	●	TXRF（Option)	●	ICP-MS（Option)

晶圓製造	：	單面研磨	⇒	單面研磨	⇒	單面CMP
	⇒	單面CMP	⇒	RCA洗滌	⇒	SICA88
		MEM（Option)	●	Tropel（Option)	●	Zygo（Option)

測量服務	：	MEM（潜傷)	●	Tropel（平整度)	●	TXRF（金屬污染)
	●	ICP-MS（金屬污染)	●	SICA88（刮痕)	●	Zygo（表面粗糙度)

●　大規模生產提高了加工能力

●　矽加工完全獨立，從接收到出貨的整個過程都在公司內部完成。

●　透過縮短流程降低成本

■ 8吋SiC晶圓超薄工藝
		支撐式SiC晶片的加工結果範例 ⇒　60um

■ 8吋SiC再加工精度

每加工步驟8吋SiC TTV精度

原廠晶圓

打磨後

拋光後

單位：um	原廠晶圓	打磨後	拋光後
N個數	4	4	4
平均的	2.1	2.9	2
σ	0.37	0.22	0.65

8インチ　SiC　加工工程ごとのSBIR　精度
（Site Size XY 10*10mm Offset XY 0,0)

原廠晶圓

打磨後

拋光後

單位：um	原廠晶圓	打磨後	拋光後
N個數	4	4	4
平均的	0.6	1.3	0.7
σ	0.1	0.02	0.06

8インチ　SiC　加工工程ごとのSFQR　精度
（Site Size XY 10*10mm Offset XY 0,0)

原廠晶圓

打磨後

拋光後

單位：um	原廠晶圓	打磨後	拋光後
N個數	4	4	4
平均的	0.5	0.6	0.5
σ	0.03	0.03	0.01

8インチ　SiC　加工工程ごとの3pt-Warp　精度

原廠晶圓

打磨後

拋光後

單位：um	原廠晶圓	打磨後	拋光後
N個數	4	4	4
平均的	11.1	47.4	13.5
σ	5.1	1.41	8.08

8インチ　SiC　研磨加工後の表面粗さ（Sa)　精度

晶圓中心

晶圓外周

單位：um	晶圓中心	晶圓外周
N個數	4	4
平均的	0.08	0.08
σ	0.01	0.01

■ 8吋SiC：拋光後缺陷檢查。
		表面缺陷圖（SICA88：共聚焦微分乾涉顯微鏡）


		潜傷MAP （Mirelis 電子顯微鏡【MEM】）




BPD		潜傷

■ 8吋SiC薄膜去除再生
		蝕刻　⇒　RCA洗滌

■ 6/8 英吋各種測量服務

●　Mirelis 電子顯微鏡【MEM】
※可測量 8 英吋 SiC

※提供合約測試服務。
用作表面（矽表面）潛在缺陷檢測設備，用於檢查加工損傷和缺陷。

●　SiC晶圓缺陷檢測與審查系統
【SICA88】※可測量 8 英吋 SiC

※提供合約測試服務。
用於表面（矽側和碳側）刮痕檢測，以及檢查凹坑、缺陷等。

●　晶圓平整度測量與分析系統【Tropel】

※提供合約測試服務。
用於加工前後檢查平面度。
TTV、NTV、SORI、BOW、WARP 等。

●　表面粗糙度測量儀【Zygo】

※提供合約測試服務。
用於檢測加工後的表面粗糙度（非接觸式測量）。也可用於研磨和化學機械拋光（CMP）後的粗糙度測量。

●　全內反射X射線螢光分析儀【TXRF】

※提供合約測試服務。
金屬污染和全表面掃描測量可行
[S Cl K Ca Ti Cr Mn Fe Co Ni Cu Zn]

●　電感耦合等離子體質譜儀
【ICP-MS】

※提供合約測試服務。
可以測量金屬污染和各種金屬。

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